工作职责:
1.主导IGBT和SiC MOSFET的功率模块产品开发，完善功率模块研发流程；
2.根据市场分析和客户的反馈，转换为产品规格需求，制定功率模块产品（IGBT模块和SiC模块）路标；
3.负责功率模块产品定义，了解技术方向和产品架构，输出产品目标规格书，项目立项报告；
4.进行功率模块产品的总体设计，包括内部电路拓扑、芯片选择，芯片排列方式、打线方案等；
5.主导功率模块电学性能仿真，热学仿真和力学仿真；
6.跨部门协作，能够抗压完成工作，积极进取，对接功率模块客户需求。

任职资格:
1.985/211硕士及以上学历，C9院校优先，电气工程、微电子、半导体器件等专业；
2.三年以上功率模块产品开发或相关应用工作经验，有功率模块产品开发经验者优先；
3.精通功率模块开发，了解功率模块开发流程，掌握功率模块开发设计能力；
4.掌握常见功率拓扑（如三相逆变器、三电平变流器、Buck/Boost等）工作原理；
5.工作中熟练使用Ansys Simplorer, Q3D, Icepak, Mechanical等各类EDA软件。