工作职责:
1 熟悉40nm及以下逻辑工艺整合，能掌握基本电性和工艺相关性影响。
2. 了解平面HKMG逻辑研发及量产工艺，特别针对HKMG中metal gate的基本工艺难点及整合相关经验，能够提出工艺异常的解决方案， 并提升器件性能需求
3. 配合Device部门合作，保证Process/Device/PDK相关的协调与效率。
任职资格:
1. 硕士及以上学历，半导体、微电子、材料、化学工程、物理等相关专业；
2. >3年平面HKMG逻辑工艺“SRAM 或者HKMG metal gate 经验