任职资格：
1、硕士研究生及以上学历，集成电路、微电子、半导体、物理等相关专业，有氮化镓功率器件研发经验者优先；
2、年龄45 周岁及以下，条件优秀者可适当放宽年限；
3、熟悉新产品研发流程，了解半导体封装研发、产品工程、质量管理等知识；
4、熟悉器件仿真、器件测试、器件物理和半导体物理，熟练掌握半导体器件的制造过程和方法；
5、具有较好的产品研发能力、项目管理能力和沟通协调能力。具有较强的人际沟通能力和团队协作能力；具有较强的学习能力和自我能力提升，注重效率和结果。
岗位职责：
1、负责 GaN 器件新产品相关设计方案的可行性分析及具体实施；
2、负责 GaN 新产品、新工艺流程、新测试方案等相关内容的拟制；
3、负责 GaN 相关产品新工艺的研发、流片，以提高工艺先
进性和稳定性。针对新工艺所遇到的瓶颈和问题，提供解决方案；
4、负责GaN 器件的版图设计；
5、负责发现并解决 GaN 产品的各种可靠性问题，包括：器件结构、流片工艺、电路应用等方面问题； 6、负责GaN 产品的关键材料理论与技术研究；
7、为新产品批量生产建立必要的系统程序；进行新产品批量生产中工艺异常分析、追查与改进。