从事氮化镓HEMT芯片技术的开发，实现新型的氮化镓器件。
职责描述：
1. 负责氮化镓器件设计、仿真和制程工艺研发；
2. 氮化镓器件测试、封装应用及可靠性研究；
3. 器件性能及工艺稳定性持续提升；
4. 设计硅基氮化镓器件的结构和工艺流程；
5. 测试与工艺数据分析，确保开发的工艺流程的可靠性与重复性；
6. 与应用工程师相配合，了解应用与客户需求，并对器件做相应的改进。
7. 参与GaN器件工艺平台的开发；
8. 具备解决GaN器件参数优化及器件可靠性提升的能力；
任职要求：
1. 电子科学与技术、电磁场与微波技术和微电子等相关专业
2. 熟练掌握器件测试仪器操作，包括矢量网络分析仪，半导体参数分析仪等
3. 掌握多种工艺不同类型器件建模，熟练掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者优先
4. 具有较强的逻辑思维能力和学习能力
5. 会SILVACO，TCAD模拟者优先；
6. 硕士及以上学历