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设计测试联合开发工程师 (J16129)
2-3万
人 · 硕士 · 5年及以上工作经验 · 性别不限2025/03/17发布
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长鑫存储技术有限公司-东大门

公司信息
长鑫存储技术有限公司

民营/1000-5000人

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职位描述
工作职责:
1. DRAM存储单元的特性与测试规格开发;
2. 感应放大器电路性能的调试以及设计验证;
3. 芯片电源供应器的性能分析及设计验证;
4. DRAM存储单元特性分析及设计需求定义;
5. 定义新一代DRAM存储单元工艺需求。
任职资格:
1. 硕士及以上学历,微电子 / 集成电路 / 理工类专业;
2. 具备电路分析能力;
3. 具备较好的半导体器件物理的基础;
4. 具有良好的英语阅读能力,具有较强的学习和独立解决问题能力;
5. 具有较好的工作主动性及抗压性,深入探究及团队合作精神。

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