岗位职责：
1、负责GaN HEMT器件和测试结构版图设计；
2、 配合相关部门制定design rule, setup DRC, post layout simulation；
3、配合RD Device设计Model testkey；
4、开发GaN HEMT PDK。

岗位要求：
1、硕士及以上学历，微电子或半导体等相关专业背景；
2、有5年及以上相关工作经验，掌握功率半导体器件原理和电学参数测试原理，有丰富的功率器件版图设计经验，能够独立完成；
3、具备Si BCD IC 版图设计经验，熟练使用业界常用的PDK工具；
4、有功率器件PDK（DRC, LVS, model）特别是GaN HEMT经验者优先；
5、具备良好的分析能力和逻辑思维能力；优秀的沟通能力、团队合作精神；
6、具备积极的学习态度和良好的抗压能力 。