器件研发工程师（FRD\达林顿\78xx系列\Trench Mos\IGBT\低容TVS）
任职要求：
1、本科及以上学历，电力电子、半导体或相关专业，3年以上工作经验，硕士优先，国内国际功率器件半导体厂家工作经历者优先。
2、熟悉产品技术原理、研发工艺、可靠性要求，熟悉各项参数和测试原理，掌握失效分析手段和流程。
3、有研发项目的管理经验、有系列产品转量产的经验，沟通协调能力强，责任心及团队合作优秀。
4、良好的英语听说读写能力，较强的学习能力。
岗位职责：
1、负责新产品开发需求拟制，能从系统适用性、竞争性、成本等多维度提取参数边界，精准定义产品，输出芯片、封装成品的设计要求；
2、更新市场产品状况，熟悉行业规范；了解竞争对手产品发展状态与技术特点，根据客户市场应用要求和竞争对手的产品特点定义出有优势竞争力的产品技术特点；能预测市场发展趋势；
3、负责APQP体系文件的编制、审核及更新。负责新产品开发试验安排、进度跟进，芯片流片、成品封装、可靠性考核等，并分析、识别、处理产品开发过程中的各类异常；
4、负责产品正样、试生产、量产评审、协助客诉分析；
5、负责产品规格书、企标的制作、审核及更新；
6、协助量产产品的优化改进。