工作职责:
1. 主导过GaAs pHEMT、GaN HEMT、InP HBT类产品的工艺平台开发与量产导入;
2. 能够推动各类工艺问题的调查与解决;
3. 具备一定的器件可靠性分析与debug经验;
4. 有设计规则验证与编制经验;
5. 对器件仿真、建模有一定了解;
任职资格:
1.硕士3年以上&本科5年以上，微电子&集成电路&材料化学&物理相关专业;
2.大型半导体FAB任职经历，有PIE工作经验，有GaAs&GaN&InP基产品的设计、测试、工艺经验背景。